-12V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7756 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7756  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_G):** 150nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 280pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 195A continuous current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses with an R_DS(on) of just 1.3mΩ.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Robust Design:** HEXFET® technology ensures high reliability and performance.  
- **Thermal Performance:** TO-220AB package provides effective heat dissipation.  
- **Applications:** Suitable for high-power DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.