-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7755 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7755  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 100A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses with R_DS(on) as low as 3.5mΩ.  
- **Fast Switching:** Designed for high-efficiency switching applications.  
- **Robust HEXFET® Technology:** Provides high power density and reliability.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **Applications:** Suitable for motor control, power supplies, DC-DC converters, and other high-power switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.