-12V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7754 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR (Input/Output Resistance) specifications, descriptions, and features:

### **Descriptions:**  
- The IRF7754 is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of Infineon’s **OptiMOS™** family, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for applications such as **DC-DC converters, motor control, and power management**.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - **1.6 mΩ (max)** at V_GS = 10 V  
  - **2.2 mΩ (max)** at V_GS = 4.5 V  
- **High Current Handling:**  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 195 A at 25°C  
  - **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780 A  
- **Voltage Rating:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40 V  
- **Gate Charge (Q_g):**  
  - **Typical:** 120 nC  
- **Fast Switching Performance:**  
  - Low gate charge and low R_DS(on) for improved efficiency.  
- **Package:**  
  - **TO-220AB** (Through-hole package)  

### **IOR Specifications:**  
- The **Input/Output Resistance (IOR)** is not explicitly specified in the datasheet.  
- However, the **Gate Resistance (R_G)** is a critical parameter affecting switching behavior.  
- The **Output Resistance** is closely related to R_DS(on), which is **1.6 mΩ (max)** at 10 V gate drive.  

For detailed electrical characteristics, refer to the **Infineon IRF7754 datasheet**.