30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7752 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF7752  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 9000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 100A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Robust Design:** HEXFET® technology ensures high reliability and performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Suitable for rugged applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.