IC Phoenix logo

Home ›  I  › I28 > IRF7750

IRF7750 from IOR,International Rectifier

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

IRF7750

Manufacturer: IOR

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7750 IOR 1000 In Stock

Description and Introduction

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7750 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 75pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Rise Time (tr):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRF7750 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Low Gate Charge (Qg)** for reduced drive requirements.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7750 IR 50011 In Stock

Description and Introduction

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7750 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.35V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5500pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7750 is a **N-channel** MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance** and **high current handling**, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a **TO-220AB package**, ensuring efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for improved ruggedness.  
- **Fully characterized for linear mode operation.**  
- **Pb-free and RoHS compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF7750.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7750 IR 236794 In Stock

Description and Introduction

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7750 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5.5mΩ (at VGS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 120nC  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns  
- **Rise Time (tr):** 30ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF7750 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Ultra-Low On-Resistance** (RDS(on)) for reduced power dissipation.  
- **Fast Switching Performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7750 IRF 21300 In Stock

Description and Introduction

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7750 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **RDS(on) (Max):** 2.3mΩ @ VGS = 10V  
- **RDS(on) (Max):** 3.0mΩ @ VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V - 2.5V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 150nC (Typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 7000pF (Typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 2000pF (Typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF (Typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control applications.  
- Advanced HEXFET® technology for improved performance.  
- Low gate charge for fast switching.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in harsh conditions.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

The IRF7750 is commonly used in DC-DC converters, power supplies, and motor drives due to its high current handling and low RDS(on).  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise specifications.)

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips