-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7726 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 47A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 94A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1820pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 480pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions**  
- The IRF7726 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The device is optimized for efficiency in DC-DC converters, motor control, and other high-power applications.  

### **Features**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220AB Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.