-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7707TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its I/O specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7707TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7707TRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 280A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Battery management  
- Synchronous rectification  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF7707TRPBF.