-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7706 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details regarding its IOR (Input/Output Resistance) specifications, descriptions, and features:

### **IOR Specifications**  
- **Drain-Source On-Resistance (RDS(on))**:  
  - 0.0065 Ω (typical) at VGS = 10 V, ID = 40 A  
  - 0.008 Ω (max) at VGS = 10 V, ID = 40 A  

### **Descriptions**  
- The IRF7706 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features**  
- **Low RDS(on)**: Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching**: Optimized gate charge for high-frequency operation.  
- **High Current Capability**: Continuous drain current (ID) of up to 75 A.  
- **Avalanche Energy Rated**: Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Low Gate Charge (Qg)**: Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**: Environmentally friendly.  

For exact datasheet values, refer to the official Infineon documentation.