-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7705 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 46A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 180A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9.0 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  
### **Descriptions and Features:**
- **High Current Handling:** Capable of handling high continuous and pulsed drain currents.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power switching with minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures stable operation in switching circuits.  
- **Applications:** Suitable for power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.