-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7704TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7704TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7704TRPBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Regulators  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7704TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7704TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7704TRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power supply applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed and updated specifications.)