-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7702 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features of the IRF7702:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.012Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7702 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-220AB package, which provides good thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 13A continuous current.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7702.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7702 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  

### **Electrical Characteristics:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.008Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 36nC (typical at V_DS = 15V, I_D = 11.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  

### **Thermal Characteristics:**
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**
- **Package Type:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by lower gate voltages.  

### **Applications:**
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7702 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF7702 is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 20V  
- **Current Rating (I_D):** 50A (continuous at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official documentation from Infineon Technologies.