-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7701TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7701TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 130A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 520A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 1.6mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7701TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high current handling capability. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable design  
- Suitable for synchronous rectification  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

This MOSFET is commonly used in high-efficiency power conversion systems.