-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7701 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF7701 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 23A (continuous at 25°C)  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 8.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 10 mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Gate Charge (Q_g):** 44nC (typical)  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with 4.5V and 10V drive  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness  
- **Package:** TO-220AB (through-hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Synchronous rectification  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package The IRF7701 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features of the IRF7701:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 630pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 190pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 20ns  
- **Fall Time (t_f):** 10ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole Package)**  

### **Descriptions and Features:**  
- **N-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **Logic-Level Gate Drive** capability (fully enhanced at 4.5V).  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved efficiency in switching circuits.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management, and load switching.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSSOP-8 package