-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Halogen-Free TSSOP-8 package The IRF7700GTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7700GTRPBF  

### **Description:**  
The IRF7700GTRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon's HEXFET® power MOSFET family, offering low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.011Ω (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge for efficient switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- **Package Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Switching regulators  
- Battery protection circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.