IC Phoenix logo

Home ›  I  › I28 > IRF7607

IRF7607 from

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

IRF7607

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7607 18360 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7607 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 10A (continuous at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 13mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® MOSFET technology for high efficiency.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and switching regulators.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7607 IOR 1500 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7607 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IOR specifications, descriptions, and features:

### **IOR Specifications**  
- **Input/Output Resistance (IOR)**: Not explicitly specified in standard datasheets. The IRF7607 is primarily characterized by its **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance)**, which is **0.022 Ω (typical) at VGS = 10 V**.  

### **Descriptions**  
- The IRF7607 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor drives, and other high-frequency applications.  

### **Features**  
- **Voltage Rating**: 30 V  
- **Current Rating**: 70 A (continuous) at 25°C  
- **Low RDS(on)**: 0.022 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Fast Switching Speed**: Optimized for high-frequency operation  
- **Low Gate Charge (Qg)**: Enhances efficiency in switching applications  
- **Avalanche Energy Rated**: Improves ruggedness in inductive load conditions  
- **TO-220 Package**: Standard through-hole mounting for easy assembly  

For exact IOR-related parameters, refer to the official **Infineon IRF7607 datasheet** for detailed electrical characteristics.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7607 IOR 515 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7607 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.015Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 45ns (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7607 IR 300 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7607 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF7607  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 13A (continuous)  
- **RDS(on):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard drive circuits.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-performance switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7607 IRF 300 In Stock

Description and Introduction

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7607 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance (RDS(on)) minimizes conduction losses.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

For exact details, always refer to the official datasheet from the manufacturer.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips