-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7606 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 12A (continuous at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.015Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 28nC (typical at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 50mJ  

### **Description:**  
The IRF7606 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Low RDS(on) for reduced conduction losses**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche energy rated for ruggedness**  
- **Logic-level gate drive compatibility (VGS = 4.5V min)**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **TO-220AB package for easy mounting**  

For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7606 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7606  

### **Description:**  
The IRF7606 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 6.5A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.065Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Input Capacitance**  

### **Package Type:**  
TO-220 (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product specifications.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7606 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 8.5A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7606 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Improved dv/dt capability for noise immunity.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

These details are based on the manufacturer's datasheet. For precise application-specific data, always refer to the official documentation.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7606 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 60A  
- **R_DS(on) (Max):** 8.0 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7606 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.