-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7604TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7604TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7604TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 12A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.016Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 48W  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7604TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7604TRPBF  

### **Description:**  
The IRF7604TRPBF is a N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-state resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 0.022Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) – 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low gate charge (Qg = 12nC typical)  

### **Package:**  
- **Package Type:** SO-8 (Small Outline-8)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and DC-DC converters due to its efficiency and reliability.  

(Note: All data is sourced from Infineon's official documentation.)