20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7601 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7601 Power MOSFET.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7601 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF7601 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The IRF7601 is available in a TO-220AB package.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7601 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 20V  
- **Current Rating (I_D):** 6.5A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7601 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control circuits (V_GS = 4.5V).  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF7601.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7601 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRF7601 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  
- The device is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 6.5A continuous drain current.  
- **Robust Design:** Capable of handling high power dissipation (40W).  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial and automotive applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.