-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7555 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 38A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 36ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF7555 is an N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (with sufficient V_GS).  
- **TO-220 Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7555 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.23Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF7555 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Low thermal resistance for better heat dissipation  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for high-frequency switching applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7555 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- IRF7555  

### **Description:**  
- The IRF7555 is a **Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  

### **Key Features:**  
1. **Voltage Rating:**  
   - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
2. **Current Rating:**  
   - **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A (at 25°C)  
3. **On-Resistance (R_DS(on)):**  
   - **Typical:** 0.13Ω (at V_GS = 10V)  
4. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
   - **Min:** 2V, **Max:** 4V  
5. **Power Dissipation (P_D):**  
   - **Max:** 50W (at 25°C)  
6. **Package:**  
   - **TO-220AB** (Through-Hole)  
7. **Switching Characteristics:**  
   - **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
8. **Applications:**  
   - Switching power supplies, motor control, DC-DC converters, and other power management applications.  

### **Additional Notes:**  
- The device is **N-Channel**, meaning it is an enhancement-mode MOSFET.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7555 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF7555  
### **Type:** Power MOSFET (N-Channel)  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7555 is a high-performance N-Channel Power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved efficiency  
- High-speed switching performance  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations or guidance.