30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 80A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) to 2.0V (Max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Optimized for High-Current Applications**  
- **Logic-Level Gate Drive Capability**  

These are the verified specifications and features of the IRF7509 MOSFET.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7509 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-current, low-voltage switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for efficient power conversion.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

This information is based solely on manufacturer specifications.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7509 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- The IRF7509 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features fast switching speeds and low gate charge, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for low-voltage applications (up to 30V) such as DC-DC converters, motor control, and power management.  
- It has a rugged and reliable design, capable of handling high pulsed currents.  
- The TO-220AB package provides good thermal performance for heat dissipation.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package