20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7507 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.009Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures predictable performance in switching circuits.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting.  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7507 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IRF)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.009Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF7507 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7507 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.03Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7507 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds.  
- Suitable for use in DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7507 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF7507 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable construction  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed application-specific information, refer to the official IR datasheet.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package