30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7503 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 6.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching circuits.  

These details are based solely on the manufacturer's specifications.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7503 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

Let me know if you need further details.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7503 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.5 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF7503 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high-efficiency switching in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRF7503 datasheet.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package The IRF7503 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 6.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load switching.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package