80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7493 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7493  

### **Description:**  
The IRF7493 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 160mJ  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (Ciss):** 5000pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Battery Management Systems  
- Load Switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation from Infineon Technologies.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package