60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7478QTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides superior switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.