30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7477TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7477TRPBF  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 136A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 544A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35V (min), 2.35V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 140pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **High Current Handling:** Supports up to 136A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and synchronous rectification.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7477TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF7477TRPBF  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** PQFN (5x6mm)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- High-efficiency DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Synchronous rectification  

This MOSFET is designed for high-current, low-loss switching applications.