40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7471 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (Infineon)  
- **Part Number:** IRF7471  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 1.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) – 2.5V (Max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF7471 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and high current handling capability.  
- Suitable for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable construction.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7471 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35V (min) to 2.35V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Lead-free, RoHS compliant  

### **Description:**  
The IRF7471 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features ultra-low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and synchronous rectification.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling capability**  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **Improved thermal performance** due to PQFN package  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package