55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7341QPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
    - N-Channel: 55V  
    - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 17A  
  - P-Channel: -15A  
- **Power Dissipation (P_D):**  
  - 2.5W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 85mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 160mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 300pF  
  - P-Channel: 400pF  
- **Operating Temperature Range:**  
  - -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN (Power Quad Flat No-Lead)  
- **Pin Count:** 8  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Power management in portable devices  
- Synchronous rectification  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for factual accuracy.