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IRF7341Q from IR,International Rectifier

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IRF7341Q

Manufacturer: IR

55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7341Q IR 245 In Stock

Description and Introduction

55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7341Q is a dual N-channel and P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF7341Q  

### **Description:**  
The IRF7341Q is a dual MOSFET that combines an N-channel and a P-channel HEXFET power MOSFET in a single package. It is designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - One N-channel MOSFET (IRF7341)  
  - One P-channel MOSFET (IRF7342)  
- **Voltage Ratings:**  
  - N-channel (IRF7341): 55V  
  - P-channel (IRF7342): -55V  
- **Current Ratings:**  
  - N-channel (IRF7341): 4.3A (continuous)  
  - P-channel (IRF7342): -3.7A (continuous)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-channel: 0.06Ω (max @ VGS = 10V)  
  - P-channel: 0.12Ω (max @ VGS = -10V)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Logic-Level Gate Drive (for N-channel)**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

### **Package Type:**  
- 8-Pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management circuits  
- Motor control  
- Battery-powered systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF7341Q IOR 3165 In Stock

Description and Introduction

55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7341Q is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Ratings:**  
  - N-Channel: 55V (VDSS)  
  - P-Channel: -55V (VDSS)  
- **Current Ratings:**  
  - N-Channel: 4.3A (ID)  
  - P-Channel: -3.7A (ID)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 0.065Ω (at VGS = 10V)  
  - P-Channel: 0.16Ω (at VGS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (typical)  
  - P-Channel: -2V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** PQFN 3x3 (8-pin)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and synchronous rectification.  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly.  

This information is based strictly on manufacturer datasheets and technical documentation.

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