30V FETKY The IRF7335D1 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** N-channel and P-channel in a single package.  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
    - N-channel: 55V  
    - P-channel: -55V  
- **Current Ratings:**  
  - **Continuous Drain Current (I_D):**  
    - N-channel: 5.5A  
    - P-channel: -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-channel: 0.11Ω (max at V_GS = 10V)  
  - P-channel: 0.19Ω (max at V_GS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-channel: 2V (min), 4V (max)  
  - P-channel: -2V (min), -4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-channel: 450pF (typ)  
  - P-channel: 550pF (typ)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual MOSFET Design:** Combines N-channel and P-channel MOSFETs in a single package for complementary switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered systems.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7335D1.

30V FETKY The IRF7335D1 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.5A  
  - P-Channel: -4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 22A  
  - P-Channel: -18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per MOSFET  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.06Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.16Ω (at V_GS = -10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):**  
  - N-Channel: 600pF  
  - P-Channel: 600pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **HEXFET Technology:** Provides high efficiency and fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic-level signals.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and switching circuits.  

The manufacturer, **International Rectifier (IR)**, was acquired by Infineon Technologies in 2015.

30V FETKY The IRF7335D1 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 55V  
  - P-Channel: -55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 20A  
  - P-Channel: -16A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 0.06Ω (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 0.16Ω (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 2V (min) to 4V (max)  
  - P-Channel: -2V (min) to -4V (max)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The IRF7335D1 is a dual MOSFET in a single package, combining an N-channel and a P-channel HEXFET power MOSFET.  
- Designed for high-efficiency switching applications in power management circuits.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Dual MOSFET Design:** Integrated N-channel and P-channel in one package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness against inductive loads.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.