-30V FETKY The IRF7321D2 is a dual N-channel HEXFET power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** 5.3A per MOSFET (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.060Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 10ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 35ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRF7321D2 is a dual N-channel MOSFET in a compact SOIC-8 package.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive loads.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.