-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a LeadFree SO-8 -package The IRF7316QTRPBF is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.1A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
  - N-Channel: 20A  
  - P-Channel: -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 80mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 1V (min), 2V (max)  
  - P-Channel: -1V (min), -2V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET:** Contains one N-channel and one P-channel MOSFET in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic-level signals.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and battery-powered applications.