20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7307TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7307TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IRF7307TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.