-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package The IRF7306Q is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF7306Q  

#### **Key Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET (HEXFET®)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 44A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 176A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 3.3mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 4.5mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

#### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching capability for improved performance in DC-DC converters, motor drives, and power management circuits.  
- Qualified for automotive applications (AEC-Q101).  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations.