-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7304 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF7304 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® technology** for low conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.