30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7201TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF7201TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 360pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF7201TRPBF is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for surface-mount applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.