N-channel power MOSFET for anti-lock braking systems applications, 50V, 3A The IRF7103QTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard logic-level signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.