A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 29 amperes optimized with low on resistance. The IRF6714MTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6714MTRPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 83W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Description:**  
The IRF6714MTRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance due to advanced packaging  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.