A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with Schottky diode with 20 volt gate in a DirectFET MT package rated at 180 amperes. The IRF6691TR1PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6691TR1PBF  

### **Description:**  
The IRF6691TR1PBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance (RDS(on)), making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 1.8mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 2.3mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 44nC (typical at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in applications such as:  
- DC-DC converters  
- Motor drives  
- Power supplies  
- Battery management systems  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.