A 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 55 amperes. The IRF6668 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF6668  

### **Description:**  
The IRF6668 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency and low power dissipation in switching circuits.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 100A (continuous) at 25°C  
- **RDS(ON):** 1.8mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 120nC (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 400mJ  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Drive Requirements**  
- **Low Thermal Resistance**  
- **RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Synchronous Rectification  
- Battery Management  

### **Package:**  
5x6mm PQFN (Power Quad Flat No-Lead)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.