A 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 47 amperes. The IRF6662TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6662TRPBF  

### **Description:**  
The IRF6662TRPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power applications.

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** SMD (Surface Mount Device)  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF6662TRPBF.