Leaded A 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 47 amperes. The IRF6662TR1 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating:** Improves reliability in hard-switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6662TR1.