DirectFETPower MOSFET The IRF6637 is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF6637  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
  - 2.2mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** PQFN 5x6mm  
- **Termination:** Lead-Free, RoHS Compliant  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Optimized for high current applications  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Improved thermal performance due to PQFN packaging  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in computing and automotive systems  
- Synchronous rectification  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6637. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.