A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET (ST) package rated at 81 amperes. The IRF6636TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF6636TRPBF  

### **Description:**  
The IRF6636TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PQFN 5x6mm  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing and Telecom  
- Synchronous Rectification  

### **Additional Notes:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Optimized for high-frequency switching  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based strictly on manufacturer datasheets and technical documentation.