-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5800 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Package Type:**  
- **TO-247AC (3-pin package)**  

### **Description:**  
- The IRF5800 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High current handling capability**  
- **Low gate charge for improved switching efficiency**  
- **Avalanche energy rated for ruggedness**  
- **Low thermal resistance for better heat dissipation**  
- **Designed for switching power supplies, motor control, and other high-power applications**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.