33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET The IRF540N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 33A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 430pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 48ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF540N is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 33A continuous current.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-voltage switching.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.