75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF2807L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRF2807L is a high-current, low on-resistance MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** due to low gate charge.  
- **High Current Handling Capability** (82A continuous).  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.