100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1310N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.011Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF1310N is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-voltage applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low On-Resistance** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **TO-247 Package** for high power dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official documentation.