40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF1104L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.004Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRF1104L is an N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It is optimized for switching power supplies, motor control, and other high-efficiency power management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 75A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves ruggedness in inductive load applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals (with sufficient gate drive current).  
- **TO-262 Package (D²PAK):** Provides efficient thermal performance.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.