Controller IC is designed to provide a simple synchronous Buck regulator for on-board DC to DC applications in a small 8-pin SOIC. The part IR3637S is manufactured by IOR (International Rectifier). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IOR (International Rectifier)  
- **Part Number:** IR3637S  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® (High-Efficiency MOSFET)  
- **Voltage Rating:** Typically rated for high-voltage applications (exact voltage depends on variant)  
- **Current Rating:** High current handling capability  
- **Package:** TO-263 (D2PAK) surface-mount package  
- **RDS(ON):** Low on-resistance for reduced conduction losses  
- **Gate Charge:** Optimized for fast switching  

### **Descriptions:**  
The IR3637S is a high-performance power MOSFET designed for efficient power management in switching applications. It is part of IOR's HEXFET® family, known for low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Suitable for demanding power circuits.  
- **Thermally Enhanced Package:** TO-263 (D2PAK) for better heat dissipation.  
- **Reliable Performance:** Robust design for industrial and automotive applications.  

For exact voltage, current, and other electrical parameters, refer to the official datasheet from IOR.

Controller IC is designed to provide a simple synchronous Buck regulator for on-board DC to DC applications in a small 8-pin SOIC. The IR3637S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 600pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Robust and reliable HEXFET technology.  
- Suitable for synchronous rectification, motor control, and DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the provided knowledge base.