OptiMOS®2 The **IPS06N03LA** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The **IPS06N03LA** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for automotive, industrial, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- High current capability (60A continuous)  
- Fast switching performance  
- Avalanche ruggedness  
- Suitable for **automotive applications** (AEC-Q101 qualified)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and load switching circuits**.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise details.)